檢索結果：共14筆資料 檢索策略： "黃柏仁".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="趙良君"
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利用熱蒸鍍系統在氧氣環境下蒸鍍金屬鋅顆粒，成長出單晶鋅-氧化鋅核殼結構奈米線，鋅奈米線直徑約為50 nm，並包覆一層厚約為7.5 nm的氧化鋅層，其成長方向皆為 ，經過熱氧化後，鋅-氧化鋅奈米線內部…
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本實驗為利用射頻磁控濺鍍法沉積鋅薄膜，藉由調變射頻功率及靶材至基板的距離可控制鋅薄膜的結晶及表面型貌。實驗結果顯示多晶鋅薄膜在經450 ℃熱氧化可成長較多垂直於基板的氧化鋅奈米線，其平均長度約為4 …
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本實驗以反應式離子束濺鍍法沉積氧化鋅奈米粒子，探討Si、SiO2及銅團聚物等不同基板對奈米粒子之形貌及分佈之影響，研究結果顯示沉積時間下降或沉積溫度上升，奈米粒子的密度隨之減少。沉積於Si、SiO2…
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本論文主要是藉由離子佈植與熱氧化的方式在鋅箔上成長氧化鋅奈米針結構。改變不同離子佈植以及佈植時間的不同，探討其表面結構、場發射以及發光行為。實驗分析的結果顯示，氧化鋅奈米針的成長方向與鋅箔基板的晶粒…
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本研究探討以離子束濺鍍法，沉積摻鉺氧化鋅薄膜(Erbium-doped ZnO, EZO)之特性。我們以層狀方式沉積EZO薄膜，藉退火使鉺與氧化鋅混合。實驗中，成功的以325 nm之He-Cd雷射，…
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使用毛細式離子源濺鍍氧化鋅靶，沉積氧化鋅薄膜於晶向(100)矽基板上，隨後於氧與氮氣氛下退火，討論不同退火條件對氧化鋅薄膜特性之影響。 XRD顯示未退火之氧化鋅薄膜無任何繞射峰值，ZnO(002)繞…
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本實驗使用離子束濺鍍法在玻璃基板上沉積氧化銦錫薄膜，利用改變基板溫 度及退火溫度來觀察薄膜特性的變化，分別使用室溫、100 及200℃來沉積薄膜。 在室溫下沉積未退火的ITO 薄膜呈現非晶結構，當薄…
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本實驗以熱氧化法成長出摻鈷的氧化鋅奈米線結構，以磁控濺鍍法先沉積純鋅膜與摻鈷的鋅薄膜兩種，實驗結果發現純鋅膜經熱氧化後會形成奈米針結構，而有摻雜鈷的鋅膜在熱氧化後會轉變為奈米線結構，其結構上受到摻雜…
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本篇論文主要研究方向在使用以醋酸鋅為蒸發源的化學氣相沉積法製作氧化鋅薄膜。以不同的氣體當載氣（氧氣和氬氣）和控制不同成長溫度來製造氧化鋅薄膜於矽基板上。薄膜分析以掃描電子顯微鏡、X光繞射譜線、拉曼散…
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本實驗首先利用熱氧化法400˚C製備出氧化銅奈米線，接著以熱蒸鍍法將氧化鋅沉積到氧化銅奈米線上，形成異質結構，經過不同的退火時間，探討其光伏特性的應用。在FESEM的結果顯示出，氧化鋅將氧化銅奈米線…